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中国南车14亿投建大功率IGBT基地来源：上海证券报 | 发布时间：2011年05月25日 08:03 | 作者：覃秘
⊙见习记者 覃秘 ○编辑 邱江
中国南车今日公告，董事会审议同意控股子公司株洲所在株洲建设大功率IGBT产业化基地，正式启动我国首条8英寸IGBT芯片生产线项目。本项目总投资约14亿元。 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，为逆变器最核心、价格最高的零部件之一，而逆变器又是把直流电转换为交流电的核心部件，在太阳能电池、风力发电、新能源汽车等方面有广泛应用。 文档附件：
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