| 来源： |
安信证券研究所 |
发布时间： |
2011年02月23日 14:35 |
作者： |
黄守宏 |
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撰写时间： |
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事件简述：公司发布IGBT用区熔单晶硅抛光片、高压大电流MOSFET场效应管、TVS瞬态电压抑制器和IGBT绝缘栅双极型晶体管4款新产品，展示了在电力电子器件研发、生产的技术能力，显示了公司从材料生产到器件生产的内部产业链的完善和提升。
IGBT进度超出预期：公司首次展示了3300V/10A IGBT样品，进度超出了市场的预期，预示着公司在IGBT技术上已经已经达到国内领先的水平。同时，公司1200V产品成熟度逐渐提高，成品率有望提升到90%左右，并且将要投入4500和6500V产品的开发。
公司内部产业链走向成熟：除了IGBT产品之外，公司还发布了新产品，包括：
IGBT用区熔单晶硅抛光片、高压大电流MOSFET场效应管、TVS瞬态电压抑制器这也标志着公司电力电子器件从单晶到抛光，再到芯片设计生产的内部产业链发展和成熟。
投资评价：预测公司2010-2012年EPS分别为0.2元、1.13元、2.2元，按照2012年20倍市盈率估值，目标价位44元，上调投资评级至“买入-A”。
风险提示：公司目前1200V IGBT产品已经进入批量生产，3300V IGBT产品已经完成出样，我们认为公司目前主要的风险是新产品的市场开拓风险和新产品（4500V/6500V IGBT产品）的开发风险。
（具体内容请见附件）
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