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通富微电:深度研究报告
来源 国联证券研发中心 发布时间 2010年10月26日 16:14 作者 韩星南
公司评级 评级变动 撰写时间
      投资要点:

  封装测试环节在集成电路产业链中产值占比将逐渐提高,国家政策对封测支持力度加大。由于晶体管间距水平已近物理极限(15纳米),厂商逐渐转为在堆叠上寻求空间(双核,N核)。由于堆叠对封测的技术要求和参与程度都较高,堆叠产品封装产值占比约为20%。国家政策从之前的偏向支持前端变为全产业链支持,主要因素是:1)仅支持前端无法形成产业链协同效应;2)封测产业本质属于制造业,相对于芯片制造进入门槛较低,而中国具有良好的制造业基础能够使得发展封测产业更容易出成果。

  踏实承接产能转移,短期高增长确定,长期增长路径明晰。公司与众多知名半导体厂商建立融洽的合作关系,并逐渐过渡到深度合作,短期的高增长源于新产品如BGA、WLP等产品驱动,长期增长源于IDM厂商的产能持续转移。相对于国内同行,公司规模和客户优势明显;相对于台湾同行,公司在技术上差距缩小,享有成本优势。

  拟增发募集资金建设新产能,2年再造一个通富微电。公司3月份公告增发预案,拟增发不超过10亿元人民币用于二期、三期扩建,根据项目可研报告,二期、三期项目建设期均为两年,两期项目达产后正常年收入19.2亿元,两期项目达产后正常税后利润约为1.96亿元。

  维持“推荐”评级,合理价格提升至20.7-23.6元。根据我们的预测,2010-2012年,公司EPS分别为0.45、0.59、0.76元。我们给予公司2011年35-40倍市盈率,合理价格为20.7-23.6元。维持“推荐”评级。
  (具体内容请见附件)
 
   
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文档附件:
通富微电研究报告-受益国家政策倾斜,高增长路径明晰2010.10.26F(1).pdf
 

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