国内最大规模新型功率半导体器件ＩＧＢＴ产业基地在湖南株洲奠基

　　本报株洲５月２５日讯（记者周雪松） 中国高铁将拥有完全属于自己的“心脏”。５月２５日，国内最大规模新型功率半导体器件ＩＧＢＴ产业基地在湖南株洲奠基，中国南车成为国内唯一掌握从ＩＧＢＴ芯片设计、芯片制造到模块封装与测试，以及系统应用完整产业链的企业。

　　当天，国家发改委、工信部、科技部和铁道部等部门官员出席奠基仪式并表示祝贺。

　　此举标志着中国高铁将拥有包括基础性核心器件技术在内的完全自主知识产权。据悉，该基地建设的国内首条８英寸ＩＧＢＴ芯片生产线计划２０１３年投产，将年产８英寸大功率ＩＧＢＴ芯片１２万片、ＩＧＢＴ模块１００万只，填补国内技术空白。

　　国家发改委相关负责人在此间表示，大功率半导体ＩＧＢＴ器件作为一种基础性关键技术装置，不仅产业关联度高、技术资金密集，而且在一些重大产业领域应用广泛，但是多年来其核心技术却一直被世界上少数几个国家垄断封锁。加快发展大功率半导体ＩＧＢＴ对促进我国相关装备制造业的技术进步和产业升级，乃至增强国家综合实力具有深远的战略意义。

　　铁道部有关负责人也表示，这项技术已经成为轨道交通产业领域的核心技术，长期以来一直是三菱、西门子、ＡＢＢ等国外产品的天下，往往存在价格昂贵、调试周期长、维修费用高昂等问题，成为了摆在我国轨道交通等产业发展面前一个极高的门槛和严峻的挑战，严重影响了我国轨道交通事业的发展。

　　中国南车称，该项目总投资１４亿元，建成投产后年可创产值超过２０亿元。而更为重要的是，掌握该项拥有自主知识产权的技术，将明显提升中国南车的核心竞争能力，并可涉足更为广泛的领域。

　　根据记者了解，目前中国南车正在推进时速５００千米／小时以上动车组试验，进程已经过半。此外值得关注的是，中国南车与美国ＧＥ合作进军美国高铁市场也有新的进展，美方日前已拨款２０亿美元开展前期工作。

　　中国南车有关负责人告诉记者，自２００８年以来，中国南车营业收入每年以超过２００亿元的速度迅速增长，去年为６５０亿元，今年预计达到８００亿元，明年可望超过１０００亿元关口。