| 来源： |
国金证券研究所 |
发布时间： |
2010年03月04日 15:01 |
作者： |
|
| 公司评级： |
|
评级变动： |
|
撰写时间： |
|
| |
投资要点：
我们建议从战略角度来看待中国IGBT行业的投资机会。我们认为中国IGBT市场未来五年将保持复合25%以上增速增长，市场容量由09年35亿元成长至100亿元。而未来本土企业的技术创新突破推动中国IGBT市场出现“进口替代”的现象，从而凸显本土企业的投资价值。
节能减排、低碳经济，这意味着未来提高能效成为经济发展的首要因素，这无疑推动功率市场加速繁荣。而IGBT是功率器件的大势所趋，成为投资首选。
IGBT正处在发展初期，技术的成熟与应用领域的壮大推动IGBT市场高成长。我国智能电网、高铁建设与家电节能领域成为IGBT市场成长的主体。
我们认为我国IGBT产业已经初具规模，同时拥有本土市场优势（智能电网建设、高铁建设与全球最大的家电制造基础），这有利于本土企业获得更好的成长。
我们认为2010年将是华微电子基本面发生改变的第一年，随着功率市场繁荣，华微电子未来业绩将获得高速的增长。而以IGBT为代表的新一代功率器件的突破更提升其投资价值，成为目前功率器件投资最佳标的。
1、技术突破：目前公司6寸MOSFET生产线已经获得良好的技术突破，已经能够生产出1200V/35A的IGBT器件，产量约为4000片/月，若算上VDMOS/D-MOS产品，该生产线月产已达10000片。
2、模式转变：由代工企业转变为自销企业。这有利于企业更直接分享中国功率市场繁荣，提升企业的发展空间与竞争力。
3、业绩反转：传统业务借助家电内需、节能灯市场繁荣而加速复苏。麦吉柯厂随着自销市场开拓提升其收入增长与利润增长。IGBT等中高端功率器件量产带来业绩增量。
我们预测华微电子2010年~2012年EPS分别为0.26、0.40与0.57元。未来业绩仍有超预期可能。建议投资者积极配置。
（具体内容请见附件）
|
| |
|
| |
|
| |
全景网刊登此文目的在于传播更多信息，与本网站立场无关并谢绝转载！全景网不保证其内容的准确性、可靠性和有效性，本版文章的原创性以及文中陈述文字和内容并未经过本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性，数据及图表的准确性本站不作任何保证或承诺，请读者仅作参考，不作为任何买与卖的建议，并请自行核实相关内容。据此操作，风险自担。 |
| |
|
| |
|
| |
|
|
|
|
|
