朗科公司日前发布融合了三大加速技术的闪存盘Ｕ２１７，独家采用了朗科双通道技术，其连续读写速度提高到３２ＭＢ／秒、２１ＭＢ／秒，随机读写速度提高到３２ＭＢ／秒、１２ＭＢ／秒，其中随机读写速度是全球著名品牌同类产品的４倍左右。

　　“一款３２ＧＢ的闪存盘如果用去年行业平均读写速度１０ＭＢ／秒来存储，累计需要一个小时；而如果采用朗科Ｕ２１７，只需十几分钟。”业内人士表示，闪存容量的大幅攀升，对读写速度提出了更高要求。朗科三大闪存技术主要通过“闪存芯片的控制加速、双通道倍速和Ｎｓｐｅｅｄ提速技术”３种方法来实现速度的显著提升。